山東力冠微電子裝備

產(chǎn)品展示


產(chǎn)品分類

暫無數(shù)據(jù)

暫無數(shù)據(jù)

聯(lián)系方式


地址:濟南市槐蔭區(qū)濟南寬禁帶半導體產(chǎn)業(yè)園

電話:15562450816

郵箱:liguan1218@163.com

MPCVD設備

? 微波等離子化學氣相沉積技術(MPCVD) , 通過等離子增加前驅體的反應速率,降低反應溫度。適合制備面積大、均勻性好、純度高、結晶形態(tài)好的高質量的金剛石單晶和多晶薄膜

氮化鎵(GaN)HVPE單晶生長設備 臥式

? 用于氮化鎵(GaN)單晶生長 ? 用于氧化鎵(Ga?O?)、氮化鋁(AIN)、磷化銦(InP)、砷化鎵(GaAs)外延生長

氮化鎵(GaN)HVPE單晶生長設備 立式

? 用于氮化鎵(GaN)單晶生長 ? 用于氧化鎵(Ga?O?)、氮化鋁(AIN)、磷化銦(InP)、砷化鎵(GaAs)外延生長

< 1 > 前往