產(chǎn)品分類(lèi)
聯(lián)系方式
HVPE長(zhǎng)晶爐——立式
所屬分類(lèi)：
GaN單晶生長(zhǎng)設(shè)備
概要：
本設(shè)備主要用于氮化鎵（GaN）單晶生長(zhǎng)；還可用于氧化鎵（Ga2O3）、氮化鋁（AIN）、 磷化銦（InP）、砷化鎵（GaAs）等外延生長(zhǎng)。
關(guān)鍵詞：
晶體提拉
HVPE長(zhǎng)晶爐——立式
產(chǎn)品概述/Product Introduction：
本設(shè)備主要用于氮化鎵（GaN）單晶生長(zhǎng)；還可用于氧化鎵（Ga2O3）、氮化鋁（AIN）、 磷化銦（InP）、砷化鎵（GaAs）等外延生長(zhǎng)。
This equipment is mainly Used for the growth of galiumnitride(GaN)single crystal；Used for the epitaxial growth of gallium oxide （Ga2O3），aluminum nitride（AIN）， indium phosphide（InP）and gallium arsenide（GaAs）.
產(chǎn)品特點(diǎn)/Product Characteristics：
♦襯底:2-8英寸
Substrate size :2-8 inches
♦數(shù)量:1片/多片
Quantity:1pcs/multiple pcs
♦控溫精度:精度高，溫區(qū)穩(wěn)定性好
Temperature control precision : High temperature control precision and good statlity in temperature zone.
♦結(jié)構(gòu):立式/臥式可選，滿(mǎn)足多種尺寸襯底多種操作方式需要
Structure: Vtica/horizontal structual is optional,can meet theneeds of customerswith various sizes ofsubstrates and variousoperation ♦modes. 安全保護(hù)功能:硬件保護(hù)+軟件互鎖 Security protection: Hardware protection+software interlock
♦氮化鎵單晶生長(zhǎng)尺寸: 2英寸
GaN single crystal growth size:2 inches
♦氮化鎵單晶生長(zhǎng)速率:＞50微米/小時(shí)
GaN single crystal growth rate:＞50 microns/Hr
♦氮化鎵單晶層厚度:＜200微米
GaN single crystal layer thickness:＜200 microns
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無(wú)
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