產(chǎn)品展示
產(chǎn)品分類
本設(shè)備主要用于碳化硅(SiC)、氮化鋁(AIN)單晶生長(zhǎng)。
本設(shè)備主要用于碳化硅(SiC)、氮化鋁(AIN)單晶生長(zhǎng)。
液相法可以在更低的溫度(<2000℃)以下實(shí)現(xiàn)SiC單晶的生長(zhǎng),理論上更容易獲得高質(zhì)量的單晶。利用溫度梯度作為生長(zhǎng)驅(qū)動(dòng)力來(lái)實(shí)現(xiàn)晶體的生長(zhǎng)。
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本設(shè)備主要用于碳化硅(SiC)、氮化鋁(AIN)單晶生長(zhǎng)。
本設(shè)備主要用于碳化硅(SiC)、氮化鋁(AIN)單晶生長(zhǎng)。
液相法可以在更低的溫度(<2000℃)以下實(shí)現(xiàn)SiC單晶的生長(zhǎng),理論上更容易獲得高質(zhì)量的單晶。利用溫度梯度作為生長(zhǎng)驅(qū)動(dòng)力來(lái)實(shí)現(xiàn)晶體的生長(zhǎng)。